Продукція > ONSEMI > MBT35200MT1G
MBT35200MT1G

MBT35200MT1G onsemi

mbt35200mt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.27 грн
6000+ 10.3 грн
9000+ 9.57 грн
30000+ 8.77 грн
75000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT35200MT1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції MBT35200MT1G за ціною від 9.06 грн до 33.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MBT35200MT1G MBT35200MT1G Виробник : onsemi MBT35200MT1_D-2315310.pdf Bipolar Transistors - BJT Low Saturation
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+23.58 грн
17+ 19.91 грн
100+ 13.33 грн
500+ 11.52 грн
1000+ 10.22 грн
3000+ 9.13 грн
24000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
MBT35200MT1G MBT35200MT1G Виробник : onsemi mbt35200mt1-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 146906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.7 грн
11+ 27.47 грн
100+ 19.13 грн
500+ 14.02 грн
1000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
MBT35200MT1G MBT35200MT1G Виробник : ON Semiconductor 328mbt35200mt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній