MBRD835LT4G ON Semiconductor
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRD835LT4G ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V.
Інші пропозиції MBRD835LT4G за ціною від 20.05 грн до 66.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MBRD835LT4G | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 8A; DPAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Case: DPAK Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 8A; DPAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Case: DPAK Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MBRD835LT4G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 20690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MBRD835LT4G | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Діод Шотткі smd; Io, A = 8; Uзвор, В = 35; Uf (max), В = 0,51; If, А = 8; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35; DPAK-3 |
на замовлення 494 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MBRD835LT4G Код товару: 191911 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |