![MBRD835LG MBRD835LG](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3DPAK05-40.jpg)
MBRD835LG ONSEMI
![2353974.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 94.6 грн |
12+ | 66.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRD835LG ONSEMI
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V.
Інші пропозиції MBRD835LG за ціною від 25.58 грн до 31.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRD835LG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
MBRD835LG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
MBRD835LG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
MBRD835LG Код товару: 56934 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||
![]() |
MBRD835LG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MBRD835LG | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |