![MBRAF3200T3G MBRAF3200T3G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/1/3/5/6/19/712/ons_/manual/mbraf440.jpg)
MBRAF3200T3G ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 17.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRAF3200T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBRAF3200T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, SMAF, 2 Pin(s), 840 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMAF, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 840mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MBRAF3200T3G за ціною від 15.75 грн до 60.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRAF3200T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SMA-FL Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRAF3200T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMAF Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 68060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRAF3200T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SMA-FL Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
на замовлення 8655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MBRAF3200T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 21111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRAF3200T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMAF Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 68060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|