MBRA210LT3G ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRA210LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mV, tariffCode: 85411000, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 350mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MBRA2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MBRA210LT3G за ціною від 13.31 грн до 82.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MBRA210LT3G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mVtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 350mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRA2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MBRA210LT3G | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 2A 10V |
на замовлення 84535 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MBRA210LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRA210LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 10 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 350 mV tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 350mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRA2 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MBRA210LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 10V 2A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MBRA210LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 10V 2A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MBRA210LT3G Код товару: 180980 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
MBRA210LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 10V 2A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MBRA210LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 10V 2A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MBRA210LT3G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MBRA210LT3G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 10 V |
товар відсутній |