MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7942.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Reverse Polarity, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V.
Інші пропозиції MBR40035CTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR40035CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower |
товар відсутній |
|
 |
MBR40035CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 35V 400A Schottky Recovery |
товар відсутній |