Технічний опис MBR3580 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR3580
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MBR3580 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
MBR3580 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
товар відсутній |
||
![]() |
MBR3580 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |