MBR2535CT ONSEMI
![ONSM-S-A0003589580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MBR2535CT - MBR2535CT, SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
600+ | 52.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR2535CT ONSEMI
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V.
Інші пропозиції MBR2535CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MBR2535CT | Виробник : ON |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MBR2535CT | Виробник : EIC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
MBR2535CT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR2535CT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR2535CT | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR2535CT | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR2535CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |