![MBR20H100CT MBR20H100CT](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
MBR20H100CT TAIWAN SEMICONDUCTOR
![2357963.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 104.76 грн |
10+ | 83.65 грн |
100+ | 61.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR20H100CT TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBR20, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MBR20H100CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MBR20H100CT |
![]() ![]() |
на замовлення 12861 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
MBR20H100CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
MBR20H100CT | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR20H100CT | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR20H100CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() |
товар відсутній |