![MBR20200CT MBR20200CT](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/8/3/15/47/35/654449/dtc_/manual/to-220ab.jpg)
MBR20200CT Diotec Semiconductor
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR20200CT Diotec Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20200CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 920mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Можливі заміни MBR20200CT Diotec Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR20200CT JSMicro Код товару: 193203 |
Виробник : JSMicro |
![]() Корпус: TO-220 Зворотня напруга, Vrrm: 200 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 0,9 V Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод Монтаж: THT Імпульсний струм, Ifsm: 200 A |
очікується:
400 шт
|
|
Інші пропозиції MBR20200CT за ціною від 13.8 грн до 132.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR20200CT | Виробник : SIRECTIFIER |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.39mm |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diotec Electronics |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT JSMicro Код товару: 193203 |
Виробник : JSMicro |
![]() Корпус: TO-220 Зворотня напруга, Vrrm: 200 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 0,9 V Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод Монтаж: THT Імпульсний струм, Ifsm: 200 A |
очікується:
400 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: ITO-220AB Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.95V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
на замовлення 4663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : SIRECTIFIER |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.95V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.23 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diotec Electronics |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : Microdiode Electronics |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 18800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 20A; TO220AB; Ufmax: 900mV Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 1mA Capacitance: 500pF Kind of package: tube |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 20A; TO220AB; Ufmax: 900mV Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 1mA Capacitance: 500pF Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.85V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT Код товару: 123815 |
Виробник : YJ |
![]() Корпус: TO-220 Зворотня напруга, Vrrm: 200 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 1,23 V Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод. Монтаж: THT Імпульсний струм, Ifsm: 150A |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT Код товару: 151962 |
Виробник : MIC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Корпус: TO-220 Зворотня напруга, Vrrm: 200 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 1,23 V Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод. Монтаж: THT Імпульсний струм, Ifsm: 150 A |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT Код товару: 3474 |
Виробник : ON |
![]() Корпус: TO-220 Зворотня напруга, Vrrm: 200 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод. |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.85V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MBR20200CT | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR20200CT Код товару: 186254 |
Виробник : Panjit |
![]() Корпус: TO-220 Зворотня напруга, Vrrm: 200 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 0,9 V Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод. Монтаж: THT Імпульсний струм, Ifsm: 200 A |
товар відсутній
|