![MBR10H200CT MBR10H200CT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2326/Taiwan-TO-220-3.jpg)
MBR10H200CT Taiwan Semiconductor Corporation
![pdf.php?pn=MBR10H200CT](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.06 грн |
10+ | 48.06 грн |
100+ | 37.39 грн |
500+ | 29.75 грн |
1000+ | 24.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR10H200CT Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції MBR10H200CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MBR10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
MBR10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |