MBR1035G ONSEMI
![ONSM-S-A0013297320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MBR1035G - DIODE, SCHOTTKY, 10A, 35V, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1150+ | 30.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR1035G ONSEMI
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V.
Інші пропозиції MBR1035G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR1035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR1035G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR1035G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |