![LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3361191-40.jpg)
LSIC1MO120E0080 LITTELFUSE
![littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0080_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1512.21 грн |
5+ | 1383.53 грн |
10+ | 1254.07 грн |
50+ | 1128.28 грн |
100+ | 1007.4 грн |
250+ | 987.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC1MO120E0080 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції LSIC1MO120E0080 за ціною від 1035.18 грн до 1575.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 Код товару: 138007 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
LSIC1MO120E0080 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |