![LND01K1-G LND01K1-G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5553/150%7ESOT23-5%7EM5%7E5-View-2.jpg)
LND01K1-G Microchip Technology
![20005696A.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 30.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND01K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): +0.6V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V.
Інші пропозиції LND01K1-G за ціною від 28.11 грн до 46.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): +0.6V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V |
на замовлення 5280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 3402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
LND01K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: depleted Pulsed drain current: 0.6A Drain-source voltage: 9V Drain current: 0.33A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-5 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
LND01K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: depleted Pulsed drain current: 0.6A Drain-source voltage: 9V Drain current: 0.33A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-5 Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |