![LM5110-1M/NOPB LM5110-1M/NOPB](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/4/5/9/20/34/330/txn_/manual/d0008a.jpg)
LM5110-1M/NOPB Texas Instruments
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 107.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5110-1M/NOPB Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5110-1M/NOPB - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, Low-Side, 3.5V-14V Versorgungsspannung, 5Aout und 30Rout, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 5A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.5V, Quellstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 25ns, Ausgabeverzögerung: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції LM5110-1M/NOPB за ціною від 107.33 грн до 259.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : National Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 9069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() ![]() |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() ![]() |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() ![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,MOSFET gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -5...3A Number of channels: 2 Supply voltage: 3.5...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 25ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: tube Protection: undervoltage UVP |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() ![]() |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() ![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.5V Quellstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 25ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() ![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,MOSFET gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -5...3A Number of channels: 2 Supply voltage: 3.5...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 25ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: tube Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB Код товару: 112611 |
![]() ![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
LM5110-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() ![]() |
товар відсутній |