![LL101B-GS08 LL101B-GS08](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/dc6f32e584d50551ba1e42fda84503becfdf08fe/81162-pt-medium.jpg)
LL101B-GS08 Vishay
![ll101a.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Rectifier Diode Small Signal Schottky 50V 0.03A 1ns Automotive AEC-Q101 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 4.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LL101B-GS08 Vishay
Description: DIODE SCHOT 50V 30MA SOD80, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 1 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2.1pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30mA, Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції LL101B-GS08 за ціною від 3.81 грн до 27.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LL101B-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 2.1pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30mA Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LL101B-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 2.1pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30mA Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LL101B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
LL101B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
LL101B-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
LL101B-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SMD; 50V; 30mA; 1ns; MiniMELF,SOD80 Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Capacitance: 2.1pF Max. off-state voltage: 50V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.2µA Power dissipation: 0.4W Type of diode: Schottky switching Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
LL101B-GS08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
LL101B-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SMD; 50V; 30mA; 1ns; MiniMELF,SOD80 Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Capacitance: 2.1pF Max. off-state voltage: 50V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.2µA Power dissipation: 0.4W Type of diode: Schottky switching Features of semiconductor devices: small signal |
товар відсутній |