![KSP10TA KSP10TA](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8953e35249337f9a3e3b5195ff85c061c6ea26f9/to-92-3.jpg)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
413+ | 1.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSP10TA ON Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active.
Інші пропозиції KSP10TA за ціною від 2.49 грн до 27.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 7239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
KSP10TA | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 161687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.35W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.35W Frequency: 650MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 60 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
KSP10TA | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.35W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: Ammo Pack Power dissipation: 0.35W Frequency: 650MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 60 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF |
товар відсутній |