KSE45H8TU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.67 W
Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.67 W
на замовлення 22916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSE45H8TU Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.67 W.
Інші пропозиції KSE45H8TU за ціною від 16.2 грн до 52.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSE45H8TU | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSE45H8TU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSE45H8TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 22916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSE45H8TU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 1670mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSE45H8TU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.67 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSE45H8TU | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |