KSE13003H1ASTU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSE13003H1ASTU onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції KSE13003H1ASTU за ціною від 19.92 грн до 51.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSE13003H1ASTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
KSE13003H1ASTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSE13003H1ASTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
KSE13003H1ASTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
KSE13003H1ASTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
KSE13003H1ASTU | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor |
товар відсутній |