KSD2012GTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 65590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 712+ | 29.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD2012GTU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції KSD2012GTU за ціною від 26.06 грн до 67.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSD2012GTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSD2012GTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSD2012GTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| KSD2012GTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 150...320 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.5W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| KSD2012GTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 150...320 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.5W Polarisation: bipolar |
товар відсутній |