![KSD1616AGTA KSD1616AGTA](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2585/TO-92-3%20Formed%20Leads.jpg)
KSD1616AGTA onsemi
![ksd1616a-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 6.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGTA onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції KSD1616AGTA за ціною від 4.05 грн до 30.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 8304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 14269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 9841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
KSD1616AGTA | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 200...400 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
KSD1616AGTA | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 200...400 |
товар відсутній |