![KSD1616AGBU KSD1616AGBU](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8953e35249337f9a3e3b5195ff85c061c6ea26f9/to-92-3.jpg)
KSD1616AGBU ON Semiconductor
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1651+ | 7.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 5.33 грн до 23.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 38112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 200...400 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 200...400 |
товар відсутній |