KSC945GBU ONSEMI
![FAIRS25378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - KSC945GBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1094257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6410+ | 5.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC945GBU ONSEMI
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції KSC945GBU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
KSC945GBU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW |
товар відсутній |