KSC1008CYTA Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 13989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5207+ | 4.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC1008CYTA Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSC1008, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції KSC1008CYTA за ціною від 3.89 грн до 35.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Current gain: 120...240 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 14809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 4382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Current gain: 120...240 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC1008 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 14460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |