KSB772YS ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 13.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSB772YS ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції KSB772YS за ціною від 12.41 грн до 66.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSB772YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 160...320 Collector current: 3A Pulsed collector current: 7A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 160...320 Collector current: 3A Pulsed collector current: 7A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 11694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 45723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : Aptina Imaging | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : Aptina Imaging | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : Aptina Imaging | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSB772-Y-S |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
KSB772-YS |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
KSB772YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |