KSA1142OSTU ON Semiconductor
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.59 грн |
| 21+ | 28.89 грн |
| 100+ | 24.87 грн |
| 500+ | 21.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSA1142OSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSA1142OSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 180 V, 100 mA, 8 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSA1142, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції KSA1142OSTU за ціною від 16.17 грн до 55.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSA1142OSTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSA1142OSTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 180V 0.1A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSA1142OSTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSA1142OSTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1142OSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 180 V, 100 mA, 8 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSA1142 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSA1142OSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
KSA1142OSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |