Технічний опис KBJ2506G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A KBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBJ, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції KBJ2506G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
KBJ2506G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
KBJ2506G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
![]() |
KBJ2506G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |