Jantxv2N2222AUA Microchip / Microsemi
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2560.18 грн |
10+ | 2522.79 грн |
100+ | 2038.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jantxv2N2222AUA Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: 4-SMD, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 650 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/255.
Інші пропозиції Jantxv2N2222AUA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTXV2N2222AUA | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin UA Waffle |
товару немає в наявності |
||
Jantxv2N2222AUA | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 |
товару немає в наявності |