![JANTXV1N5618 JANTXV1N5618](https://www.mouser.com/images/microsemi/lrg/A_Package_2_DSL.jpg)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 560.88 грн |
100+ | 513.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV1N5618 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V, Qualification: MIL-PRF-19500/427.
Інші пропозиції JANTXV1N5618
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
JANTXV1N5618 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/427 |
товар відсутній |
|
JANTXV1N5618 | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk |
товар відсутній |