на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26638.28 грн |
10+ | 24593.15 грн |
25+ | 20697.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N6353 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN DARL 150V 5A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції JANTX2N6353
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTX2N6353 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
JANTX2N6353 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
JANTX2N6353 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
JANTX2N6353 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |