Технічний опис JANTX2N5685 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 60V 50A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V, Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 300 W, Qualification: MIL-PRF-19500/464.
Інші пропозиції JANTX2N5685
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N5685 | Виробник : MOT |
 00+ TO-3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| JANTX2N5685 | Виробник : Microsemi |
Trans GP BJT NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||
| JANTX2N5685 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 60V 50A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W Qualification: MIL-PRF-19500/464 |
товар відсутній |
||
| JANTX2N5685 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V 50A 300W NPN Power BJT THT |
товар відсутній |