JANTX2N5416

JANTX2N5416 Microchip Technology


2n5415.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N5416 Microchip Technology

Description: TRANS PNP 300V 1A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 750 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/485.

Інші пропозиції JANTX2N5416 за ціною від 827.5 грн до 903.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTX2N5416 Виробник : Microchip / Microsemi 132282-lds-0305-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT _ TO-5
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+903.55 грн
100+ 827.5 грн
JANTX2N5416 Виробник : MSC 132282-lds-0305-datasheet
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N5416 Виробник : Microchip Technology 132282-lds-0305-datasheet Description: TRANS PNP 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 750 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/485
товар відсутній