JANTX2N3767 Microchip / Microsemi


2N3766-2886107.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT
на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2143.23 грн
25+ 2111.79 грн
100+ 1711.54 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N3767 Microchip / Microsemi

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/518.

Інші пропозиції JANTX2N3767

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTX2N3767 Виробник : MSC 6054-2n3766-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N3767 Виробник : Microchip Technology 6054-2n3766-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/518
товар відсутній