JANTX2N3735 Microchip / Microsemi
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 838.04 грн |
25+ | 801.82 грн |
100+ | 660.69 грн |
500+ | 648.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N3735 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/395.
Інші пропозиції JANTX2N3735
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTX2N3735 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
JANTX2N3735 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/395 |
товар відсутній |