Jantx2N3637L Microchip / Microsemi
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 970.42 грн |
10+ | 955.74 грн |
100+ | 772.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jantx2N3637L Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 175V 1A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
Інші пропозиції Jantx2N3637L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
Jantx2N3637L | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 |
товару немає в наявності |