на замовлення 857 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1739.71 грн |
| 100+ | 1592.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N6628US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.75A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V, Qualification: MIL-PRF-19500/590.
Інші пропозиції JANTX1N6628US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6628US | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5BPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V Qualification: MIL-PRF-19500/590 |
товар відсутній |