JANTX1N5807US MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
B_MELF/VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS (L 1N5807
кількість в упаковці: 1 шт
B_MELF/VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS (L 1N5807
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N5807US MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTX1N5807US
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTX1N5807US | Виробник : Semtech |
MIL 6A SUPERFAST RECT - SM, SQUARE/SQUARE POWER DISCR 1N5807 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
JANTX1N5807US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |
||
JANTX1N5807US | Виробник : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |
||
JANTX1N5807US | Виробник : Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT |
товару немає в наявності |