JANTX1N4150-1 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/231
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX1N4150-1 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V, Qualification: MIL-PRF-19500/231.
Інші пропозиції JANTX1N4150-1 за ціною від 63.21 грн до 79.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N4150-1 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
JANTX1N4150-1 | Виробник : MACOM Technology Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/231 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
JANTX1N4150-1 | Виробник : Aeroflex |
Rectifier Diode Switching Si 50V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
JANTX1N4150-1 | Виробник : Aeroflex |
Rectifier Diode Switching Si 50V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
JANTX1N4150-1 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 50V 4ns 2-Pin DO-35 Bag |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| JANTX1N4150-1 | Виробник : MICROSEMI |
1N4150-1JANTX 1N4150 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
JANTX1N4150-1 | Виробник : VPT Components |
Rectifier Diode Switching Si 50V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 |
товар відсутній |