Технічний опис JAN2N4449 MOT
Description: TRANS NPN 20V TO46, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB), Grade: Military, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 360 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/317.
Інші пропозиції JAN2N4449
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN2N4449 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
JAN2N4449 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 20V TO46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) Grade: Military Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 |
товару немає в наявності |
||
JAN2N4449 | Виробник : Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |