JAN2N3716 Microchip / Microsemi


2N3715-1593233.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3889.12 грн
100+ 3560.14 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N3716 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 80V 10A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 5 W, Qualification: MIL-PRF-19500/408.

Інші пропозиції JAN2N3716

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N3716 Виробник : MOTOROLA 6049-2n3715-pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N3716 Виробник : Microchip Technology 6049-2n3715-pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/408
товару немає в наявності