![JAN2N3019 JAN2N3019](https://www.mouser.com/images/microsemi/lrg/TO_5_3_DSL.jpg)
JAN2N3019 Microchip / Microsemi
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 700.28 грн |
250+ | 640.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3019 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JAN2N3019
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN2N3019 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
JAN2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/391 |
товар відсутній |