JAN2N2907AUB

JAN2N2907AUB Microchip / Microsemi


2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291-3499782.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 600MA 500MW PNP Round-End Small-Signal BJT SMT
на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.86 грн
100+ 434.3 грн
500+ 369.74 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N2907AUB Microchip / Microsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/291.

Інші пропозиції JAN2N2907AUB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N2907AUB JAN2N2907AUB Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
товар відсутній
JAN2N2907AUB Виробник : MICROSEMI MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf UB/PNP TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
JAN2N2907AUB JAN2N2907AUB Виробник : Microchip Technology MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товар відсутній