JAN2N2906A Microchip / Microsemi
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 292.86 грн |
| 100+ | 268.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2906A Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/291.
Інші пропозиції JAN2N2906A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N2906A |
 |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
JAN2N2906A | Виробник : Semicoa Semiconductors |
PNP Bipolar junction transistor 60V |
товар відсутній |
|
 |
JAN2N2906A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
|
 |
JAN2N2906A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 |
товар відсутній |