JAN2N2219A Microchip / Microsemi
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 630.94 грн |
100+ | 594.99 грн |
500+ | 506.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2219A Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/251.
Інші пропозиції JAN2N2219A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN2N2219A | Виробник : MOT |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
JAN2N2219A | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
JAN2N2219A | Виробник : MOTOROLA | SOT23 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
JAN2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/251 |
товару немає в наявності |