на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 553.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5811US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Інші пропозиції JAN1N5811US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5811US | Виробник : MICROSEMI |
 MELF/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5811кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
товару немає в наявності |
|
| JAN1N5811US | Виробник : Semtech Corporation |
Description: D MET 6A SFST 150V HR SM Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |