на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 875.71 грн |
10+ | 779.85 грн |
25+ | 645.84 грн |
100+ | 561.16 грн |
250+ | 536.05 грн |
500+ | 488.69 грн |
1000+ | 445.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5811 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Інші пропозиції JAN1N5811
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN1N5811 | Виробник : Semtech |
MIL 6A Superfast Rectifier POWER DISCR 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
JAN1N5811 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
товар відсутній |
||
JAN1N5811 | Виробник : Semtech Corporation |
Description: D MET 6A SFST 150V Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товар відсутній |