на замовлення 1063 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 633.76 грн |
10+ | 563.64 грн |
100+ | 406.16 грн |
500+ | 366.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5619 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Інші пропозиції JAN1N5619
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN1N5619 | Виробник : MICROSEMI |
A/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5619 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
JAN1N5619 | Виробник : Semtech |
MIL 1A STANDARD RECT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
JAN1N5619 | Виробник : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
товар відсутній |