JAN1N5550 Microchip / Microsemi
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 443.11 грн |
| 100+ | 406.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5550 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Інші пропозиції JAN1N5550
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5550 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 200V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| JAN1N5550 | Виробник : Sensitron Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 2000ns 2-Pin Case 301 |
товар відсутній |
||
| JAN1N5550 | Виробник : Semtech |
MIL 3A FAST RECTIFIER POWER DISCR 1N5550 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
JAN1N5550 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 |
товар відсутній |