![J112 J112](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/D5/B5/40/00/0/285533_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=04506b75cafe72654ab0ee9a23862979795303b5)
J112 ONSEMI
![J111.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 27.3 грн |
19+ | 20.06 грн |
50+ | 14.27 грн |
95+ | 8.91 грн |
261+ | 8.4 грн |
1000+ | 8.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис J112 ONSEMI
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції J112 за ціною від 6.26 грн до 327.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
J112 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
J112 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA Gate current: 50mA Drain current: 5mA On-state resistance: 50Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate-source voltage: -35V Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
J112 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
J112 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 11245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
J112 | Виробник : InterFET |
![]() |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
J112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
J112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
J112 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
J-1 1/2 | Виробник : Caplugs | Conduit Fittings & Accessories J-1 1/2 PE-LD01 BLU003 MICRO |
товар відсутній |