IXYX110N120C4 IXYS
Виробник: IXYSIGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1608.26 грн |
| 10+ | 1397.96 грн |
| 30+ | 1182.6 грн |
| 60+ | 1115.87 грн |
| 120+ | 1050.57 грн |
| 270+ | 1003.92 грн |
| 510+ | 936.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYX110N120C4 IXYS
Description: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns, Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 330 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A, Power - Max: 1360 W.
Інші пропозиції IXYX110N120C4 за ціною від 1068.12 грн до 1637.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYX110N120C4 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYX110N120C4 - IGBT, 310 A, 1.9 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT Gen 4 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 310A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXYX110N120C4 | Виробник : Littelfuse |
XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
IXYX110N120C4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A Supplier Device Package: PLUS247™-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 330 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A Power - Max: 1360 W |
товар відсутній |